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案例展示

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熱烈祝賀科民電子20套集成電路設(shè)備成功進(jìn)入廈門大學(xué)產(chǎn)教融合平臺(tái)
熱烈祝賀科民電子20套集成電路設(shè)備成功進(jìn)入廈門大學(xué)產(chǎn)教融合平臺(tái)
科民電子集成電路產(chǎn)教融合成套設(shè)備含曝光機(jī)、雙腔ALD、PVD、ICP刻蝕機(jī)共20臺(tái)
助力北大
助力北大
北京大學(xué)成功制備性能優(yōu)越的碳納米管CMOS器件。我們提供了關(guān)鍵的HfO2高k柵介質(zhì)低溫制備方案
助力中科院上海技物所、武漢大學(xué)
助力中科院上海技物所、武漢大學(xué)
中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所、武漢大學(xué)研究人員在Advanced Functional Materials上發(fā)表的關(guān)于浮柵結(jié)構(gòu)二維材料光電探測器研究方面取得的進(jìn)展文章節(jié)選。我們研發(fā)的TALD-200A型原子層沉積系統(tǒng)在該器件中完成了隧穿和阻隔氧化物的工作,成功助力該光電探測器的研發(fā)工作。(文章內(nèi)的光電探測器的具有很低的背景載流子強(qiáng)度)
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